NEC電子開發出基于銅通孔的熔絲技術
2007年12月19日 0:0
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來源：
中國有色網
分類： 銅資訊
NEC電子開發出了采用銅通孔（用于連接銅布線）的熔絲技術（演講序號2.5）。NEC電子計劃將該技術導入07年年底開始量產的55nm工藝LSI中，促進制造成品率的提高。由于該項技術“可用于多種工藝”（NEC電子執行董事福間雅夫），因此還計劃將其用于45～32nm工藝及其以后的工藝。
準備導入32nm以后的新材料
此次開發的采用銅通孔的技術，其特點是熔絲的可靠性較高。電氣特性方面，斷線前后銅通孔的電阻比高達107，即使加熱，熔絲也不會再次連接，將保持這一電阻比。原因是層間絕緣膜因銅通孔的熱膨脹而開裂，被勢壘金屬（BarrierMetal）包圍的區域內的銅原子向開裂方向移動，這樣一來通孔區域就可產生較大的空孔。
熔絲技術使集成在芯片上的元件帶有冗長性，電氣分離在檢查階段被判定為劣質的元件，然后用正常元件替換。NEC電子06年開發出了基于銅布線的熔絲技術，現已導入量產。此次將熔絲替換為通孔，是因為設想以32nm以后工藝導入的帶有金屬蓋的銅布線，難以作為熔絲使用。金屬蓋是防止產生電子遷移的保護膜，有了這層保護膜，即使向銅布線輸入大電流，也不易產生電氣切斷。
現行的熔絲技術，大多使用MOSFET柵電極的超薄硅化物（Silicide）薄膜，不過在整個柵電極中使用金屬的32nm以后工藝，難以電氣切斷柵電極。NEC電子開發的基于銅布線和銅通孔的技術，將成為熔絲技術在32nm以后工藝中的替代方法。（日經BP社報道）
責任編輯：CNMN
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